Forum / Grundlagen der Elektronik / [Gelöst] Theorie MC, gemeinsam zu einem korrekten Fragenkatalog
Theorie MC, gemeinsam zu einem korrekten Fragenkatalog
Da irgendwie die Fragenkataloge entweder nicht mehr da sind oder meiner Meinung nicht unbedingt richtig sind, würde ich gerne einen neuen Thread zum gemeinsamen erarbeiten eines Fragenkataloges starten
±0
@Julian danke fürs zusammenfassen (nur frage 71=frage 59) ( ja die alte Formatierung ist ein krampf, vl ist ja mal wer so Leiwand und macht's mal gescheit als openducument). zu frage 38: sicher? Im TissFile Kap_3_Ergänzung_bis_GTO_WS15.pdf hätte ich auf Folie 17 im Bild was anderes gelesen, sie angefügtes Bild. Zu frage 25: hätte ich so auch gesagt, gibt's ne sichere Begründung dafür? @ Valentin: zu frage 6. Ich glaub schon dass a stimmt, schau mal im Skript unter "1.2.5.1 negative zahlen" siehe angefügtes Bild (oder ein BSP: in der 4bit zweierkomplemet Darstellung (erste stelle ist vz stelle) wenn du da zu 7 (0111), 7 ist da auch die größte mögliche zahl, 1 (0001) addiert bekommst du -8 (1000), und das ist die kleinste mögliche zahl bei 4bitzk)
- 2 Downloads Nur für Studenten!
±0
Was ist die richtige Antwort bei Aufgabe 36? Ich habe an eiener Prüfung genaue diese Frage bekommen, so angekreuzt und e war falsch.
±0
hallo Leute meine Antworten zu den Fragen was sagt ihr dazu?
Frage 11 nur a Frage 24 a und b frage 25 unr b? frage 30 nur B frage 36 nur a frage 38 nur b frage 48 b und c frage 65 a und b
±0
Hat jemand vielleicht ein paar Antworten?
Die folgenden Mechanismen können bei einem in Sperrrichtung betriebenen pn-Übergang auftreten a) Lawinen-Durchbruch b) Elfer-Durchbruch c) Loch-Durchbruch d) Isolations-Durchbruch e) Thermischer-Durchbruch f)Leitungs-Durchbruch
Bei den leistungselektronischen Schaltelementen Thyristor, IGBT, Leistungs-MOSFET werden a)Thyristoren für Anwendungen im höchsten Leistungsbereich eingesetzt b)Leistungs-MOSFET mit der niedrigsten Schaltfrequenz betrieben c)IGBT nur bei Anwendungen mit kleiner Versorgungsspannung eingesetz
Ein Gleichstromsteller in Drehstrombrückenschaltung a) kann am Ausgang sowohl Spannung als auch Strom umkehren b)kann sowohl als Gleichrichter als auch als Wechselrichter betrieben werden c)hat immer zwei Thyristoren gleichzeitig leitend
Diodengleichrichter a)bei der 3-phasigen Mittelpunktschaltung sind immer 2 Dioden leitend b)bei der 3-phasigen Mittelpunktschaltung werden sowohl die positiven als auch die negativen Halbwellen gleichgerichtet c)bei der 3-phasigen Mittelpunktschaltung werden 3 Dioden benötigt
Beim Sperrschicht FET wird der Kanal a)durch eine Raumladungszone vom Gate getrennt b)durch eine Isolierschicht von der Basiszone getrennt c)durch eine Isolierschicht vom Gate getrennt d)Unterscheidet man selbstsperrende und selbstleitende Typen
Dotierung a) n Dotierung wird durch den Einbau von Donatoren erzielt b) Für n Dotierung werden Valenzelektronen verwendet c) Akzeptoratome werden auch als Löcher bezeichnet
Danke !
Can @jhonx
Wirtschaftsingenieur... · Technische Universit...
wir würden nur B sagen als Antwort